149亿元增资长鑫存储母公司 明年四季度DRAM投片量将超南亚科技
根据该补充约定，兆易创新现拟出资3亿元人民币，与长鑫集成、合肥石溪集电企业管理合伙企业（有限合伙）（以下简称“石溪集电”）、国家集成电路产业投资基金二期股份有限公司（以 下简称“大基金二期”）、安徽省三重一创产业发展基金有限公司（以下简称“三重一创”）等多名投资人签署《关于睿力集成电路有限公司之增资协议》（以下简称“增 资协议”）、《关于睿力集成电路有限公司之股东协议》（以下简称“股东协议”），共同参与睿力集成增资事项，以完成《可转股债权投资协议》中约定的转股投资事项。
增资之前，睿力集成的注册资本总额为189亿元，其实缴注册资本为189亿元。其中，石溪集电出资130.44亿元，持股比例为69.01%；长鑫集成出资58.56亿元，持股比例为30.99%。
此次增资完成后，兆易创新将持有睿力集成约 0.85%股权。根据兆易创新公告曝光的其他机构对于睿力集成的增资情况显示，而除了兆易创新之外，大基金二期和安徽三重一创基金分别出资47.6亿元，参与睿力集成此次的增资，持股比例均为14.08%。
另外，长鑫集成也增资了8.08亿元，持股比例为19.72%；合肥集鑫企业管理合伙企业（有限合伙）出资约4.76亿元，持股比例为1.41%；其他“跟进投资人”出资约38.08亿元，持股比例为11.27%。
总的来看，仅本轮增资，睿力集成一共完成了约148.99亿元的增资，增资完成后，睿力集成获得的股东的总出资额已累计到达337.99亿元！
据了解，睿力集成主要从事集成电路及相关产品的生产、研发、设计、销售等业务。国产DRAM厂商长鑫存储技术有限公司（以下简称“长鑫存储”）为睿力集成旗下仅有的一家全资子公司。
目前长鑫存储也是国内唯一量产的国产DRAM内存厂商。显然，此次大基金二期及兆易创新等投资人近150亿元增资睿力集成，将进一步加速国产DRAM的发展。
值得一提的是，目前，兆易创新董事长朱一明同时也是长鑫存储的董事长。同时，朱一明先生控制合肥石溪长鑫企业管理合伙企业（有限合伙）（即石溪集电的执行事务合伙人，以下简 称“石溪长鑫”）。在本次增资前，石溪集电持股标的公司睿力集成 69.01%。
根据公告显示，本公告日前 12 个月内，兆易创新从长鑫存储采购的 DRAM 产品价值约 17,955.58 万元，双方产品联合开发平台合作产品价值约 1,966.68 万元。
长鑫存储明年四季度将超南亚科技，17nm内存明年问世
根据TrendForce公布的2020年二季度全球DRAM内存芯片市场数据显示，三星、SK海力士、美光这前三家DRAM大厂占据了全球市场94.6%的份额。排名第四的则是南亚科技，市场份额仅3.2%，其他的厂商份额均不到1%。
显然，在DRAM内存芯片市场，头部的三家大厂已经形成了强势的垄断地位，留给其他厂商的空间非常小。不过，在国产DRAM芯片厂商的努力之下，依托于国内庞大的市场需求，国产DRAM芯片的市场份额也在快速提升。
在11月12日由集邦咨询(TrendForce)主办的MTS2021存储产业趋势峰会上，TrendForce公布了2020-2021年全球内存厂商晶圆投片量的预估数据。
根据该数据显示，自去年四季度长鑫存储的DRAM芯片成功量产之后，其晶圆的投片量持续增长，今年一季度投片量虽然只有1万片/月，但是随着长鑫存储的DRAM产品在客户端的进一步拓展，其产能也在持续扩张，到今年四季度其投片量已经快速提升到了4.5万片/月。
而根据TrendForce的预测，到2021年四季度，长鑫存储的投片量将达到8.5万片/月，届时将成功超越目前排名第四的南亚科技（7.1万片/月），成为仅次于三星、SK海力士、美光的全球第四大DRAM芯片厂商。
当然，所谓的第四名，实际上并没有太大的意义，因为与前三名的投片量相比差距巨大。即使第三名的美光，其明年四季度的投片量也高达35.5万片/月，是预测中的长鑫存储的8.5万片/月的投片量的约4.18倍。
这样巨大的差距也并不是短期内能够追上的，此外在DRAM技术上，长鑫存储与前三厂商也存在着较大的差距。
资料显示，目前长鑫量产的主要是19nm工艺的DDR4/LPDDR4/LPDDR4X芯片，获得了威刚科技、江波龙FORESEE等存储品牌厂商的采用。
不过，在DRAM技术上，长鑫存储相比三星等一线DRAM厂商的技术要落后2-3年时间，所以快速提升技术水平也是长鑫存储在DRAM市场站稳脚跟的关键。
根据今年7月初，安徽省发布的《重点领域补短板产品和关键技术攻关任务揭榜工作方案》文件显示，希望2-3年内解决一些关键技术瓶颈，其中在内存技术方面，要求推进低功耗高速率LPDDR5 DRAM产品开发，要面向中高端移动、平板及消费类产品DRAM存储芯片自主可控需求，研发先进低功耗高速率LPDDR5 产品并实现产业化，依托DRAM 17nm及以下工艺，攻关高速接口技术、Bank Group架构设计技术、低功耗电源（电压）技术、片内纠错编码（On-Die ECC）技术，完成低功耗高速率LPDDR5 DRAM产品开发。
而目前国内已经实现量产的DRAM内存芯片的国产厂商只有长鑫存储，而且长鑫存储也正是位于安徽省会合肥的企业，显然，这份文件上所提出的内存技术攻关要求，也正是针对长鑫存储提出的。
另外根据此前的规划也显示，长鑫存储将在2021年完成17nm DRAM的技术研发。
之前曝光的长鑫存储的路线图也显示，接下来长鑫存储将会推出基于10G3工艺的DDR4/LPDDR4x和DDR5/LPDDR5，还将推出基于10G5工艺的DDR5/LPDDR5以及GDDR6。这里的10G3工艺应该指的就是17nm工艺。
